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IGBT

富士電機のIGBT モジュールはモータの可変速駆動裝置や無停電電源裝置等の電力変換器のスイッチング素子として開発されてきました。IGBT はパワーMOSFET の高速スイッチング性能とバイポーラトランジスタの高電圧?大電流処理能力とを合わせ持った半導體素子です。
SiCデバイス

SiC デバイスは、高耐圧、低損失、高周波動作および高溫動作を実現する優れた特性を持っています。SiC を適用したパワー半導體は、大幅な省エネと搭載製品の小型?軽量化を実現することができます。
電源制御用IC

富士電機の電源制御用ICは様々な電源回路に対応が可能です。高効率、低待機電力、低ノイズを実現し、各種環境関連の規制に対応。更に、多くの保護機能をIC に內蔵しており、電源回路の小型化も実現できます。
パワーMOSFET

富士電機のパワーMOSFET は、低損失、低ノイズ、低オン抵抗などの特長を有し、中耐圧から高耐圧品までラインアップしています。スーパージャンクション技術を適用した『Super J MOSR』シリーズでは600V 耐圧品を中心に展開しています。
整流ダイオード

富士電機の整流ダイオードは、低VF 特性、低IR などの特長を有し、電源のPFC 回路や二次側整流回路に対応が可能です。
圧力センサ

富士電機の圧力センサは、ピエゾ抵抗、調整回路、EMC 保護を1 チップに一體化しているため、システム全體の小型化に貢獻できます。また、広範囲な圧力レンジに対応可能であり、様々な用途への適用が可能です。